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Pedidos acima de
$5000IXTN120P20T
Trans MOSFET P-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXTN120P20T
Ficha de dados: IXTN120P20T Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227B
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.550 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTN120P20T Descrição geral
Trench P-Channel MOSFETs are well suited for ‘high side’ switching applications where a simple drive circuit referenced to ground can be employed, avoiding additional ‘high side’ driver circuitry commonly involved when using an N-Channel MOSFET. This enables designers to reduce component count, thereby improving drive circuit simplicity and over-all component cost structure. Furthermore, it allows for the design of a complementary power output stage with a corresponding N-Channel MOSFET, for a power half bridge stage paired with a simple drive circuit.
Características
- Fast intrinsic diode
- Low Q
- g
- and RDS
- on
- Avalanche rated
- Extended FBSOA
- International standard packages
- Advantages:
- Low gate charge resulting in simple drive requirement
- High power density
- Fast switching
Aplicativo
- High-side switching
- Load switches
- Low voltage applications
- High-efficiency switching power supplies
- Inverters and battery chargers
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
| Type | Trench | Technology | Si |
| Vr - Reverse Voltage | 100 V | Vgs - Gate-Source Voltage | - 15 V, + 15 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | IXTN120P20 | Brand | IXYS |
| Configuration | Single | Id - Continuous Drain Current | 106 A |
| Number of Channels | 1 Channel | Pd - Power Dissipation | 830 W |
| Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity | P-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Unit Weight | 1.058219 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
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