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$5000IXTH130N20T
Powerful N-Channel MOSFET for Industrial Control Circuits
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXTH130N20T
Ficha de dados: IXTH130N20T Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $5,880 | $5,880 |
200 | $2,276 | $455,200 |
500 | $2,197 | $1098,500 |
1000 | $2,156 | $2156,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
IXTH130N20T Descrição geral
Meet the IXTH130N20T, a top-of-the-line Trench Gate Power MOSFET that is specifically tailored for low voltage, high current applications. Offering an extremely low RDS(on) value, this MOSFET ensures minimal power dissipation, which can significantly improve energy efficiency. Its wide operating temperature range of -40 °C to 175 °C makes it a versatile option for a variety of applications, including automotive systems and other demanding environments where reliability is key. When it comes to performance and durability, the IXTH130N20T stands out as a robust and efficient solution that can meet the challenges of today's complex technological landscape
Características
- Surface-Mount Package
- Improved Efficiency
- Faster Response Times
- High Frequency Applications
Aplicativo
- Efficient power conversion
- Reliable performance
- High power density
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 130 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 150 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 830 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Series: | IXTH130N20 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 22 ns |
Forward Transconductance - Min: | 70 S | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 18 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Unit Weight: | 0.211644 oz | Series | Trench |
Package | Tube | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Package / Case | TO-247-3 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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