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Pedidos acima de
$5000IXTH110N25T
Ideal for power electronics and industrial applications
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXTH110N25T
Ficha de dados: IXTH110N25T Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTH110N25T Descrição geral
When it comes to low voltage and high current applications, the IXTH110N25T Trench Gate Power MOSFETs reign supreme with their superior performance and efficiency. These MOSFETs boast an incredibly low RDS(on) value, ensuring minimal power dissipation and maximum energy savings. Their rugged construction makes them well-suited for demanding environments, such as automobile applications, where reliability is key. With an operating temperature range of -40 °C to 175 °C, these MOSFETs can withstand extreme conditions while maintaining peak performance. Engineers looking for a reliable and versatile solution for their power management needs will find the IXTH110N25T MOSFETs to be a standout choice, offering exceptional performance and durability in even the harshest of environments
Características
- Sophisticated Circuit Design
- Robust Power Handling
- Fast Switching Time
Aplicativo
- Revolutionary Power Solutions
- Innovative Battery Management
- Advanced Motor Control
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 157 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 694 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HiPerFET | Series: | IXTH110N25 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 27 ns |
| Height: | 21.46 mm | Length: | 16.26 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 27 ns |
| Factory Pack Quantity: | 30 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns | Width: | 5.3 mm |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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