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Pedidos acima de
$5000IXTA10P50P
High-power transistor ideal for demanding industrial applications requiring high voltage and current rating
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXTA10P50P
Ficha de dados: IXTA10P50P Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-263-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.291 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTA10P50P Descrição geral
Take your projects to new heights with the advanced IXTA10P50P Polar™ P-Channel MOSFET. Built on the innovative Polar technology platform, this MOSFET offers a significant 30% reduction in on-state resistance (RDSon) and a 40% decrease in gate charge (Qg) compared to legacy models. Enjoy improved conduction efficiency, superior switching performance, and rugged durability in challenging environments, thanks to its dynamic dv/dt and avalanche ratings. Plus, its positive temperature coefficient enables simple parallel configuration for customized applications
Características
- High speed switching
- Low loss performance
- Easy thermal management
Aplicativo
- LED driver circuits
- Audio amplifier stages
- Temperature control units
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 50 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | IXTA10P50P |
| Brand | IXYS | Configuration | Single |
| Fall Time | 44 ns | Forward Transconductance - Min | 6.5 S |
| Height | 4.83 mm | Length | 10.41 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 28 ns |
| Factory Pack Quantity | 50 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 52 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | Width | 9.65 mm |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXTA10P50P chip is a power MOSFET transistor designed for high voltage switching applications. It has a power rating of 50A and can handle voltages up to 1000V. The chip is commonly used in power supplies, motor control, and other high-power electronics applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IXTA10P50P chip are Infineon's 1ED020I12FA, 1ED020I12-F2, 1ED020I12-FA2, and 1ED020I12-F2A chips. These chips belong to the same family of gate drivers and offer similar features and performance specifications. -
Features
- 500V N-channel enhancement mode power MOSFET - Ultra-low on-resistance - Low gate charge - Enhanced switching performance - RoHS compliant packaging - High power handling capability - Suitable for a wide range of power supply applications -
Pinout
The IXTA10P50P is a 50-pin power module. It functions as a high-power, high-voltage, and high-speed amplifier for industrial applications. It is designed to operate efficiently at high temperatures and deliver dependable performance in demanding environments. -
Manufacturer
IXTA10P50P is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global semiconductor company providing power and analog semiconductor devices. They specialize in power MOSFETs, IGBTs, rectifiers, thyristors, and power modules that are used in a wide range of applications including industrial, automotive, and consumer electronics. -
Application Field
The IXTA10P50P is commonly used in power electronic applications such as motor control, power supplies, renewable energy systems, and industrial automation. It is also suitable for high-power switching applications where a high current handling capability and low on-state resistance are required. -
Package
The IXTA10P50P chip is available in a TO-263 package form with a size of 14.9mm x 10.8mm.
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