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IXKR40N60C
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXKR40N60C
Ficha de dados: IXKR40N60C Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $20,607 | $20,607 |
| 200 | $7,976 | $1595,200 |
| 500 | $7,696 | $3848,000 |
| 1000 | $7,557 | $7557,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
IXKR40N60C Descrição geral
The IXKR40N60C Power MOSFETs are a cutting-edge product that utilizes Super Junction technology to offer the lowest RDS(on) in the 600V-800V class of MOSFETs. With internal DCB isolation, these MOSFETs simplify assembly and reduce thermal resistance from the junction to the heat sink. This design ensures efficient heat dissipation and optimal performance in various applications. What sets these devices apart is their Avalanche rating, guaranteeing rugged operation even in challenging conditions
Características
- High-frequency operation
- Fine control precision
- Low noise emission
- Innovative manufacturing process
Aplicativo
- Reliable operation
- Advanced technology
- Optimal power management
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.9 V | Qg - Gate Charge: | 250 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | - | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | CoolMOS, ISOPLUS247 | Series: | IXKR40N60 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 10 ns |
| Height: | 21.34 mm | Length: | 16.13 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 30 ns |
| Factory Pack Quantity: | 30 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | CoolMOS Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Width: | 5.21 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXKR40N60C is a high voltage IGBT (Insulated Gate
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Equivalent
The IXKR40N60C chip is equivalent to the FGH40N60UFD, STW40N60M2, and IRG4BC40W-S. These chips are all insulated gate bipolar transistors (IGBTs) and can be used as replacements for the IXKR40N60C in various applications such as motor control, inverters, and power supplies. -
Features
1. 600V, 40A IGBT 2. High-speed switching capability 3. Low VCE(sat) voltage 4. Low on-state voltage drop 5. Soft recovery diode 6. High input impedance 7. Negative temperature coefficient of VCE(sat) 8. High ruggedness, Robust and Durable -
Pinout
The IXKR40N60C is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-264 package. It is designed for high power switching applications in motor control, power supplies, and induction heating. It has a collector current of 40A, a voltage rating of 600V, and a low VCE(sat) for improved efficiency. -
Manufacturer
The IXKR40N60C is manufactured by Infineon Technologies, a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon Technologies is a leading company in the field of power semiconductors, offering a wide range of products and solutions for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IXKR40N60C is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for use in applications such as motor drives, power supplies, and renewable energy inverters. It can be utilized in industrial, automotive, and consumer electronics sectors for efficient power control and conversion. -
Package
The IXKR40N60C chip comes in a TO-247 package type, with a silicon form, and a size of 3.9mm x 9.6mm x 15.4mm.
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