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Pedidos acima de
$5000IXGQ90N33TCD1
This product is a Trans IGBT Chip designed for high-power applications with a 330V voltage threshold
Marcas: Ixys
Parte do fabricante #: IXGQ90N33TCD1
Ficha de dados: IXGQ90N33TCD1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-3P
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.610 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXGQ90N33TCD1 Descrição geral
IGBT Trench 330 V 90 A 200 W Through Hole TO-3P
Características
- High-performance applications with low-power consumption
- Efficient power conversion for improved efficiency
Aplicativo
- UPS systems
- Industrial machinery
- Battery chargers
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-3P |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 330 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 90 A |
| Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | IXYS |
| Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
| Unit Weight | 0.194007 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXGQ90N33TCD1 chip is a high-power GaN transistor designed for radio frequency and power amplifier applications. It offers high efficiency, high power density, and high voltage capabilities, making it ideal for use in demanding RF and power amplifier systems.
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Equivalent
The equivalent products of IXGQ90N33TCD1 chip are Infineon's CoolMOS N-Channel Power MOSFETs such as IPA60R190C6, IPB60R190C6, and IPD60R190C6. These products offer similar functionalities and characteristics, making them suitable replacements for the IXGQ90N33TCD1 chip. -
Features
1. GaN-on-SiC technology for high power and efficiency 2. 90W minimum power 3. 330-360 MHz frequency 4. Lightweight and compact design 5. High temperature operation up to 110°C 6. Integrated matching network for easy integration into RF systems -
Pinout
The IXGQ90N33TCD1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are gate, drain, and source, used for controlling the flow of current in the circuit. -
Manufacturer
IXGQ90N33TCD1 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company. Infineon specializes in the production of power semiconductors, automotive semiconductors, and sensors. -
Application Field
The IXGQ90N33TCD1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as aerospace, defense, industrial, and medical equipment. It is suitable for high-frequency amplification, radar systems, and satellite communication. Its advanced technology and high performance make it ideal for demanding RF power applications in various industries. -
Package
The IXGQ90N33TCD1 chip is packaged in a TO-220 form, with a size of 10.1mm x 18mm x 3.5mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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