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$5000IXGH30N120B3D1
0N120B3D1, IGBT PT 1200 V 300 W Through Hole TO-247AD":
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXGH30N120B3D1
Ficha de dados: IXGH30N120B3D1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.307 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXGH30N120B3D1 Descrição geral
The IXGH30N120B3D1 GenX3™ IGBT is a cutting-edge product revolutionizing the power conversion market. With a voltage range from 300V to 1200V, these IGBTs offer a wide range of current capabilities from 42A to 120A, catering to a variety of switching applications. The Punch-Through (PT) technology used in the manufacturing process ensures high surge current capabilities, lower saturation voltage, and energy losses, making them comparable to rugged power MOSFETs
Características
- Innovative design and development
- High efficiency performance guaranteed
Aplicativo
- Compact power module
- Durable inverter technology
- Cost-effective power solution
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | GenX3™ | Package | Tube |
| Product Status | Active | IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 30A | Power - Max | 300 W |
| Switching Energy | 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) | Input Type | Standard |
| Gate Charge | 87 nC | Td (on/off) @ 25°C | 16ns/127ns |
| Test Condition | 960V, 30A, 5Ohm, 15V | Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Supplier Device Package | TO-247AD |
| Base Product Number | IXGH30 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXGH30N120B3D1 is a high-performance insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for power electronic applications. It has a maximum voltage rating of 1200V and can handle current up to 60A. This chip is commonly used in motor drives, inverters, and power supplies due to its high switching frequency and low on-state voltage.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXGH30N120B3D1 chip include the IXGN50N120PB3, IXGR50N60C2D1, and the IXGH30N60B3D1. These are all high power insulated gate bipolar transistors (IGBT) suitable for switching applications in power electronics. -
Features
1. 1200V Power MOSFET 2. 30A continuous current rating 3. Low thermal resistance 4. Fast switching speed 5. Low on-state resistance 6. Avalanche ruggedness 7. RoHS compliant 8. TO-247 package for easy mounting and heatsinking. -
Pinout
The IXGH30N120B3D1 is a high power IGBT module with a pin count of 14. The main functions of this module include switching and amplifying high voltage and high current signals in power electronics applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXGH30N120B3D1. It is a global semiconductor company that specializes in power and advanced mixed-signal semiconductor products. They offer a range of high-performance products for various industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The IXGH30N120B3D1 is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that can be used in various applications such as motor drives, UPS, solar inverters, welding equipment, and induction heating systems. It is suitable for high power and high frequency switching applications where efficiency and reliability are critical. -
Package
The IXGH30N120B3D1 chip comes in a TO-247 package type, with a single channel insulated-gate bipolar transistor (IGBT) form. It has a size of 10.00mm x 29.29mm x 5.84mm.
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