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Pedidos acima de
$5000IXFX44N60
High-powered Single N-Channel Power Mosfet with Through Hole design - PLUS247
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFX44N60
Ficha de dados: IXFX44N60 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFX44N60 Descrição geral
Elevate your power supply solutions with the IXFX44N60, the leading N-Channel HiPerFET™ Standard series Power MOSFET. Whether you're tackling hard switching or resonant mode applications, this high-performance component delivers unbeatable results with its low gate charge, exceptional ruggedness, and fast intrinsic diode. Offering a selection of standard industrial packages, including isolated types, the IXFX44N60 is the ultimate choice for businesses seeking top-tier power management solutions
Características
- High-Quality Die Bonding
- Excellent Thermal Cycling
- Silicon Nitride Passivation
- Achieves Low In-Process Damage
- Robust ESD Protection
Aplicativo
- DC-DC converters
- Battery chargers
- Switched-mode and resonant-mode power supplies
- DC choppers
- AC Motor Drives
- Temperature and Lighting Controls
- Advantages:
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 130 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 330 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 560 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HiPerFET | Series: | HiPerFET |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 40 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S | Height: | 21.34 mm |
| Length: | 16.13 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 50 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | HiPerFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns | Width: | 5.21 mm |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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IXFX44N60 is a high-performance, N-channel MOSFET transistor designed for use in power conversion applications. It features a low on-resistance and high switching speed, making it ideal for high efficiency power supplies, motor control, and other high voltage applications. The chip is part of the IXYS IGBT product line and can handle up to 600V and 44A of continuous current.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXFX44N60 chip include the IRF840, IRFP360 and FDP100N06 transistors. These chips have similar specifications and can be used as substitutes for the IXFX44N60 in various applications. -
Features
IXFX44N60 is a N-channel IGBT power transistor with a voltage rating of 600V and a current rating of 44A. It features low VCE(sat), low switching loss, and high ruggedness, making it suitable for high power applications such as motor drives and inverters. -
Pinout
IXFX44N60 is a high power MOSFET with a TO-247 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It has a maximum current rating of 44A and a voltage rating of 600V. -
Manufacturer
IXFX44N60 is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global semiconductor company specializing in the design, development, and production of power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. Founded in 1983, IXYS serves a wide range of industries including aerospace, automotive, telecommunications, and renewable energy. -
Application Field
IXFX44N60 is a MOSFET transistor used in high power applications such as motor control, power supplies, and inverters. It can also be used in high frequency switching converters and amplifiers. This transistor is designed for high efficiency and low power loss in demanding industrial and automotive applications. -
Package
The IXFX44N60 chip comes in a TO-247 package, with a form of rectangular shape. The size of the chip is approximately 15mm x 20mm.
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