Pedidos acima de
$5000IXFR120N20
ISOPLUS certified component for increased safet
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFR120N20
Ficha de dados: IXFR120N20 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 1 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $20,302 | $20,302 |
200 | $7,857 | $1571,400 |
500 | $7,581 | $3790,500 |
1000 | $7,444 | $7444,000 |
Em estoque: 1 PCS
IXFR120N20 Descrição geral
As a member of the N-Channel HiPerFET™ Standard series, the IXFR120N20 product represents the cutting-edge technology and superior design that characterize this range of Power MOSFETs. With low gate charge and excellent ruggedness, this MOSFET is well-suited for hard switching and resonant mode applications, providing users with a highly efficient solution for their power management requirements. Additionally, the fast intrinsic diode integrated into this MOSFET enhances its performance and reliability. Available in isolated types and various standard industrial packages, the HiPerFET™ Standard series offers customers a comprehensive selection of options to meet their specific needs and ensure optimal performance in their systems
Características
- Small Signal Switching
- Soft Turn-On Characteristic
- Reduced EMI Radiation
- Safe Operating Area
Aplicativo
- Advanced features
- Smart control options
- Sleek design
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 105 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 400 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HyperFET | Series: | HiPerFET |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 35 ns |
Forward Transconductance - Min: | 70 S | Height: | 21.34 mm |
Length: | 16.13 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 65 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
Width: | 5.21 mm |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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