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$5000
IXFN73N30
4 power transistor for high current applications
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN73N30
Ficha de dados: IXFN73N30 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227B
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.243 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $51,063 | $51,063 |
| 200 | $20,376 | $4075,200 |
| 500 | $19,694 | $9847,000 |
| 1000 | $19,358 | $19358,000 |
Em estoque: 8.243 PCS
IXFN73N30 Descrição geral
When it comes to power management, the N-Channel HiPerFET™ Standard series stands out for its unparalleled performance and versatility. Take the popular product IXFN73N30, for instance, which showcases the epitome of Power MOSFET technology. Whether you're engaging in hard switching operations or exploring resonant mode applications, these MOSFETs ensure optimal efficiency and durability. Equipped with a fast intrinsic diode and featuring a low gate charge, along with various industrial package options including isolated varieties, this series sets a new standard in power component excellence
Características
- Fast Turn-On Time
- Low Gate Charge
- Pulse Withstanding Capability
Aplicativo
- Excellent performance
- Long-lasting durability
- Flexible application
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
| Type | HiperFET | Technology | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Mounting Style | Screw Mount |
| Package / Case | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HiPerFET |
| Brand | IXYS | Configuration | Single |
| Fall Time | 50 ns | Height | 9.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 73 A | Length | 38.23 mm |
| Number of Channels | 1 Channel | Pd - Power Dissipation | 520 W |
| Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
| Rise Time | 80 ns | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | Discrete Semiconductor Modules | Tradename | HyperFET |
| Transistor Polarity | N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V |
| Width | 25.42 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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IXFN73N30 is a high-voltage power MOSFET chip designed for use in applications where high power and efficiency are required. It features a maximum drain-source voltage of 300V and a continuous drain current of 73A. The chip is ideal for high-power industrial applications such as motor control, power supplies, and inverters.
-
Equivalent
Some equivalent products of IXFN73N30 chip are IRFH5330, IRFS7730, IXTN73N30, and IXFH33N30. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the IXFN73N30 chip in various applications. -
Features
IXFN73N30 is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 300V, a current rating of 73A, and a low on-resistance of 0.095 ohms. It is designed for high power applications, offers high efficiency and low noise operation, and is suitable for use in inverters, motor controllers, and power supplies. -
Pinout
IXFN73N30 is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions are Gate, Drain, and Source. It is used in high-power applications for switching and amplification. -
Manufacturer
IXFN73N30 is manufactured by IXYS Corporation. They are a global power semiconductor manufacturer with a focus on power semiconductors and integrated circuits used in power control and conversion applications.IXYS Corporation is headquartered in California, USA. -
Application Field
IXFN73N30 is commonly used in high-frequency power converters, motor control, and switching applications due to its high efficiency and fast switching speed. It is also suitable for use in solar inverters, uninterruptible power supplies, and electric vehicles. -
Package
The IXFN73N30 chip is in a TO-268 package, with a through-hole form, and a size of 10.42mm x 10.42mm.
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