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IXFN60N80P
4-pin SOT-227B, IXYS IXFN60N80P N-channel MOSFET Transistor & Diode, 800V, 53A
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Littelfuse
Parte do fabricante #: IXFN60N80P
Ficha de dados: IXFN60N80P Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $18,226 | $18,226 |
10 | $17,564 | $175,640 |
30 | $16,421 | $492,630 |
100 | $15,421 | $1542,100 |
Em estoque: 9.458 PCS
IXFN60N80P Descrição geral
The innovative product IXFN60N80P boasts a unique combination of features that set it apart from other offerings in the market. With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these Polar™ HiPerFETs are specifically designed for applications such as phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply (UPS) systems. This makes them an ideal choice for industries that require high performance and reliability
Características
- Improved Thermal Resistance
- Reduced Volumetric Efficiency
- Easier Mounting
Aplicativo
- Advanced Power Converter
- Reliable Battery Backup
- Precision Motor Control
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Drain-Source Voltage (V) | 800 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.14 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 53 | Gate Charge (nC) | 250 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 18000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.12 |
Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
Power Dissipation (W) | 1040 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
Sample Request | Yes |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFN60N80P is a power MOSFET chip used for high-voltage applications. It features a low on-state resistance and is designed to handle high currents. This chip is popular for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFN60N80P chip are Infineon's IPB60R380CE, Fairchild's FSCQNSM336, and STMicroelectronics' STW60N95K5. These products are power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for high power applications. -
Features
1. N-channel enhancement mode power MOSFET 2. High current rating of 60A 3. Voltage rating of 800V 4. Low on-resistance for efficient power management 5. Integrated fast body diode for improved switching performance 6. RoHS compliant and lead (Pb)-free package 7. Suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications. -
Pinout
The IXFN60N80P is a MOSFET with a TO-268 package, having 3 pins. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. It is used for switching and amplifying electronic signals in power applications with a voltage rating of 800V and a current rating of 60A. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFN60N80P is IXYS Corporation. They are a semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. They provide products for a wide range of industries, including automotive, communication, industrial, and medical markets. -
Application Field
The IXFN60N80P is commonly used in power conversion applications such as inverters, motor drives, and power supplies. It is also used in welding equipment, plasma cutters, and induction heating systems due to its high power handling capabilities and low loss characteristics. Additionally, it can be found in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines. -
Package
The IXFN60N80P chip is packaged in a TO-268 form, TO-247AC package type, and has a size of 5.2mm x 12.5mm x 19.7mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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