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$5000
IXFN36N60
The product IXFN36N60 consists of individual semiconductor modules capable of handling 600 volts and 36 amps
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN36N60
Ficha de dados: IXFN36N60 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.542 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $70,898 | $70,898 |
| 200 | $28,289 | $5657,800 |
| 500 | $27,344 | $13672,000 |
| 1000 | $26,877 | $26877,000 |
Em estoque: 6.542 PCS
IXFN36N60 Descrição geral
The IXFN36N60 is a key component of the N-Channel HiPerFET™ Standard series, offering high-quality Power MOSFETs for various applications. With low gate charge and excellent ruggedness, this series is well-suited for both hard switching and resonant mode operations. Furthermore, the fast intrinsic diode enhances system efficiency. Available in standard industrial packages, including isolated types, the HiPerFET™ Standard series provides a reliable solution for power electronics design needs
Características
- High Current Handling Capability
- Very Fast Turn-On Time
- Low Capacitance
- Zero Voltage Crossing
Aplicativo
- Optimal energy efficiency
- Compact design
- Long-lasting durability
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
| Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | HiPerFET | Brand | IXYS |
| Configuration | Single | Fall Time | 60 ns |
| Height | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current | 36 A |
| Length | 38.23 mm | Number of Channels | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 520 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms | Rise Time | 45 ns |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename | HyperFET | Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns | Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Width | 25.42 mm |
| Unit Weight | 1.058219 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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