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$5000IXFN32N120
1.2KV N-channel Silicon Transistor MOSFET with a 32A rating in a 4-pin SOT-227B package
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN32N120
Ficha de dados: IXFN32N120 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.861 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $41,768 | $41,768 |
200 | $16,163 | $3232,600 |
500 | $15,596 | $7798,000 |
1000 | $15,314 | $15314,000 |
Em estoque: 6.861 PCS
IXFN32N120 Descrição geral
Meet the IXFN32N120, a standout component in the N-Channel HiPerFET™ Standard series of Power MOSFETs known for their versatility and superior performance. Designed for both hard switching and resonant mode applications, these MOSFETs feature low gate charge and exceptional ruggedness, accompanied by a fast intrinsic diode. Whether used in industrial settings or other demanding environments, this series offers reliability and efficiency for a wide range of applications. Additionally, the availability of various standard industrial packages, including isolated types, ensures seamless integration and compatibility with different systems
Características
- Safe Operating Area Expanded
- High Efficiency Operation
- Minimized Forward Voltage Drop
- Avalanche Rated Structure
Aplicativo
- Stable operation
- Minimal maintenance
- Improved efficiency
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | HiPerFET | Brand | IXYS |
Configuration | Single | Fall Time | 22 ns |
Height | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current | 32 A |
Length | 38.23 mm | Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 780 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms | Rise Time | 42 ns |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename | HiPerFET | Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 98 ns | Typical Turn-On Delay Time | 36 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Width | 25.42 mm |
Unit Weight | 1.058219 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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