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$5000
IXFN280N07
Featuring a current handling capacity of 280 amps and a voltage tolerance of 70V
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN280N07
Ficha de dados: IXFN280N07 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227B
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.532 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $60,381 | $60,381 |
| 200 | $24,093 | $4818,600 |
| 500 | $23,288 | $11644,000 |
| 1000 | $22,890 | $22890,000 |
Em estoque: 8.532 PCS
IXFN280N07 Descrição geral
Meet the IXFN280N07, a member of the N-Channel HiPerFET™ Standard series that is revolutionizing power MOSFET technology. Designed for optimal performance in both hard switching and resonant mode applications, these Power MOSFETs offer a unique combination of low gate charge and a fast intrinsic diode. With exceptional ruggedness and reliability, these devices are ideal for industrial settings where efficiency and durability are paramount. Available in a variety of standard industrial packages, including isolated types, the HiPerFET™ Standard series is the go-to choice for cutting-edge power management solutions
Características
- Robustness and reliability
- Improved thermal performance
- Simplified interface
- Increased power rating
Aplicativo
- Reliable performance
- Versatile applications
- Advanced technology
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
| Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | HiPerFET | Brand | IXYS |
| Configuration | Single | Fall Time | 50 ns |
| Height | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current | 280 A |
| Length | 38.2 mm | Number of Channels | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 600 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5 mOhms | Rise Time | 90 ns |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename | HyperFET | Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 85 ns | Typical Turn-On Delay Time | 40 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 70 V | Width | 25.07 mm |
| Unit Weight | 1.058219 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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