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IXFN220N20X3
Trans MOSFET N-CH 200V 160A 4-Pin SOT-227B
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN220N20X3
Ficha de dados: IXFN220N20X3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227B
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.144 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $29,369 | $29,369 |
| 200 | $11,367 | $2273,400 |
| 500 | $10,966 | $5483,000 |
| 1000 | $10,768 | $10768,000 |
Em estoque: 5.144 PCS
IXFN220N20X3 Descrição geral
Developed using a charge compensation principle and proprietary process technology, these Ultra Junction MOSFETs provide the best-in-class Figure of Merit (on-resistance times gate charge), which translates into lowest conduction and switching losses. They exhibit the lowest on-state resistances in the industry.With low reverse recovery charge and time, the body diodes are capable of removing all the leftover energies during high-speed switching to avoid device failure and achieve high efficiency.Moreover, these new devices are avalanche capable and exhibit a superior dv/dt performance as well. They are robust against device failure caused by voltage spikes and accidental turn-on of parasitic bipolar transistors inherent in the MOSFET structure. As such these rugged devices require fewer snubbers and can be used in both hard and soft switching power converters.
Características
- Lowest on-resistance R
- DS(ON)
- and gate charge Q
- g
- Fast soft recovery body diode
- dv/dt ruggedness
- Superior avalanche capability
- International standard packages
Aplicativo
- Battery chargers for light electric vehicles
- Synchronous rectification in switching
- power supplies
- Motor control
- DC-DC converters
- Uninterruptible power supplies
- Electric forklifts
- Class-D audio amplifiers
- Telecom systems
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-227-4 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V | Id - Continuous Drain Current | 220 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.2 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 204 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 155 C |
| Pd - Power Dissipation | 390 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | HiPerFET | Brand | IXYS |
| Configuration | Single | Fall Time | 17 ns |
| Forward Transconductance - Min | 204 nC | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 27 ns | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 155 ns | Typical Turn-On Delay Time | 37 ns |
| Unit Weight | 0.004339 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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