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Pedidos acima de
$5000IXFN200N10P
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN200N10P
Ficha de dados: IXFN200N10P Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4,miniBLOC
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.035 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN200N10P Descrição geral
Whether used in motor control systems or UPS units, the IXFN200N10P ensures optimal performance and longevity. Its advanced features make it a versatile solution for a wide range of power management challenges, providing users with a dependable and efficient power handling solution
Características
- Low Vibration Capability
- Robust Construction
- Fault-Tolerant Operation
- High Reliability
Aplicativo
- Advanced Power Management
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™, Polar | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 680W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Base Product Number | IXFN200 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFN200N10P is a power MOSFET chip designed for high voltage and high-speed switching applications. It features a drain-to-source voltage of 1000V and a continuous drain current of 200A, making it suitable for industrial and automotive power systems. The chip is built with advanced silicon technology to deliver efficient performance and reliability in demanding environments.
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Equivalent
The equivalent products of IXFN200N10P chip are IXFX280N10P, IXFQ300N10P, and IXYS IXTK200N10P. These products offer similar features and performance levels to the IXFN200N10P chip. -
Features
IXFN200N10P is a 100V, 200A MOSFET module with a low on-state resistance of 4.6mOhm. It has an integrated gate drive circuitry, internal temperature monitoring, and fault reporting. The module is designed for motor control, power supply, and inverter applications. -
Pinout
IXFN200N10P is a power MOSFET with a pin count of three. The functions of the pins are gate, drain, and source. The maximum drain-source voltage is 100 volts, with a continuous drain current of 200 amps. It is designed for high-power switching applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFN200N10P. IXYS Corporation is a global provider of semiconductor solutions, specializing in power, radio frequency, and signal processing technologies. They provide products that improve efficiency, performance, and reliability in a variety of applications including industrial, automotive, telecommunications, and medical industries. -
Application Field
IXFN200N10P is a power MOSFET transistor with a high voltage rating and low on-resistance, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, inverters, and electronic loads. It can be used in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high efficiency and reliable switching are required. -
Package
The IXFN200N10P chip comes in a TO-268 package type. It is a power MOSFET designed in a through hole form. The size of the chip is approximately 10.5mm x 9.9mm x 4.6mm.
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