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IXFN180N20
Silicon-based N-channel MOSFET, optimized for power transmission up to 200 volts and 180 amperes, contained within a 4-pin SOT-227B package
Marcas: Littelfuse
Parte do fabricante #: IXFN180N20
Ficha de dados: IXFN180N20 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $134,611 | $134,611 |
| 200 | $53,711 | $10742,200 |
| 500 | $51,916 | $25958,000 |
| 1000 | $51,029 | $51029,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
IXFN180N20 Descrição geral
The IXFN180N20 is a part of the N-Channel HiPerFET™ Standard series, featuring Power MOSFETs designed for both hard switching and resonant mode applications. These MOSFETs are known for their low gate charge, excellent ruggedness, and fast intrinsic diode. With a wide range of standard industrial packages available, including isolated types, this series offers flexibility and reliability in various applications
Características
- High Speed Switching Ability
- Ultra Low Drain Source Current
- Ruggedized Metal Substrate Technology
- Avalanche Rated Capability
Aplicativo
- High efficiency
- Reliable performance
- Low power loss
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 200 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.0125 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 180 | Gate Charge (nC) | 660 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 22000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.18 |
| Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
| Power Dissipation (W) | 700 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
| Sample Request | No |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Part points
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The IXFN180N20 is a power MOSFET chip designed for high voltage and high current applications. It is capable of handling a voltage of 200V and a continuous current of 180A. With a low on-resistance and high switching speed, this chip allows for efficient power switching in various electronic devices and systems.
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Equivalent
Some equivalent products for the IXFN180N20 chip include Infineon's BSP180N20N MOSFET and Texas Instruments' CSD18520KCS MOSFET. -
Features
The IXFN180N20 is a N-channel power MOSFET with a voltage rating of 200V and a current rating of 180A. It features low on-resistance, high switching speed, and high ruggedness. The device is suitable for applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The IXFN180N20 is a power MOSFET transistor with a pin count of 4. Its pins function as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, Pin 3 is the source, and Pin 4 is the sense. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFN180N20 is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that specializes in power and analog semiconductors. -
Application Field
The IXFN180N20 is a high-power MOSFET transistor used in various application areas such as power supplies, motor controls, inverters, battery chargers, and welding equipment. Its high voltage rating and low on-resistance make it suitable for high-power switching applications. -
Package
The IXFN180N20 chip has a TO-247 package type, a transistor form, and a size of 1.43 inches by 0.76 inches.
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