Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

IXFN140N25T 48HRS

Trench Power MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: IXYS

Parte do fabricante #: IXFN140N25T

Ficha de dados: IXFN140N25T Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SOT-227B

Status RoHS:

Condição de estoque: 5.857 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $84,807 $84,807
200 $33,839 $6767,800
500 $32,708 $16354,000
1000 $32,149 $32149,000

Em estoque: 5.857 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IXFN140N25T ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IXFN140N25T Descrição geral

Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(on), thus guaranteeing very low power Dissipation. This, combined with wide ranging operating junction temperature from -40 °C to 175 °C make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Características

  • International Standard Packages
  • Low R
  • DS(ON)
  • Avalanche rated
  • High Current Handling Capability
  • Fast Intrinsic Rectifier
  • Advantages:
  • Easy to Mount
  • Space Savings
  • High power density

Aplicativo

  • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
  • DC-DC Converters
  • Battery Chargers
  • Uninterrupted Power Supplies
  • AC motor drives
  • DC Choppers

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer IXYS Product Category Discrete Semiconductor Modules
RoHS Details Type GigaMOS HiperFET Power MOSFET
Technology Si Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Mounting Style Chassis Mount Package / Case SOT-227-4
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series IXFN140N25 Brand IXYS
Configuration Single Fall Time 22 ns
Height 12.22 mm Id - Continuous Drain Current 120 A
Length 38.23 mm Number of Channels 1 Channel
Pd - Power Dissipation 690 W Product Type Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 17 mOhms Rise Time 29 ns
Factory Pack Quantity 10 Subcategory Discrete Semiconductor Modules
Tradename HiPerFET Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 92 ns Typical Turn-On Delay Time 33 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V
Width 25.42 mm

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...