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$5000IXFN120N65X2
Description: IXFN120N65X2 MOSFET with N-Channel, rated at 650 Volts and 108 Amperes
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN120N65X2
Ficha de dados: IXFN120N65X2 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN120N65X2 Descrição geral
Enter the realm of cutting-edge technology with the IXFN120N65X2 product, a game-changer in MOSFET innovation. Crafted with precision and utilizing the charge compensation principle alongside proprietary process technology, these devices boast unmatched on-state resistances, minimal gate charges, and superior dv/dt performance. Their rugged avalanche capability guarantees resilience in challenging environments, while the fast soft-recovery body diode reduces switching losses and minimizes electromagnetic interference, resulting in optimized efficiency and enhanced performance
Características
- Small size and lightweight
- High reliability and durability
- Economical price and cost-effective
Aplicativo
- Efficient power supplies
- Advanced battery chargers
- Precision motor drives
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | HiperFET | Technology: | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | 650V Ultra Junction X2 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 12 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 108 A | Number of Channels: | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 890 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | Rise Time: | 23 ns |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 86 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 64 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
Unit Weight: | 1.058219 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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