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$5000IXFN110N60P3
Product IXFN110N60P3 is a N-channel MOSFET with a maximum voltage rating of 600V and a current rating of 90A, suitable for power applications up to 1
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN110N60P3
Ficha de dados: IXFN110N60P3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN110N60P3 Descrição geral
The IXFN110N60P3 PolarP3™ HiPerFET™ sets a new standard in high-performance FETs within the 300V to 600V range. With a focus on enhancing efficiency and performance, this advanced FET boasts a high Figure of Merit (FOM) that leverages the multiplication of Qg and Rdson to outperform traditional super junction technologies. Thanks to its innovative design, customers can experience significant improvements, including a 12 percent decrease in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg), and an impressive 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Additionally, the reduced chip thicknesses lead to lower thermal resistances, ultimately increasing the total power density of the device for enhanced performance in demanding applications
Características
- Faster switching speed
- High power rating capacity
- Economical in design
- Promotes energy efficiency
Aplicativo
- Heavy duty power systems
- Advanced motor controls
- Efficient solar solutions
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | HiperFET | Technology: | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | IXFN110N60 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 90 A | Number of Channels: | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 1.5 mW | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms | Rise Time: | 30 ns |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 106 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 63 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Unit Weight: | 1.058219 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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