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IXFN100N65X2
Trans MOSFET N-CH 650V 78A 4-Pin SOT-227B
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN100N65X2
Ficha de dados: IXFN100N65X2 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227B
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.813 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $27,287 | $27,287 |
| 200 | $10,560 | $2112,000 |
| 500 | $10,190 | $5095,000 |
| 1000 | $10,006 | $10006,000 |
Em estoque: 5.813 PCS
IXFN100N65X2 Descrição geral
Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these new devices exhibit the lowest on-state resistances, along with low gate charges and superior dv/dt performance. Their avalanche capability also enhances the device ruggedness.In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, the Ultra-Junction MOSFETs help reduce switching losses and electromagnetic interference (EMI).
Características
- Ultra low on-resistance R
- DS(ON)
- and gate charge Q
- g
- Fast body diode
- dv/dt ruggedness
- Avalanche rated
- Low package inductance
- International standard packages
- Advantages:
- Higher efficiency
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Aplicativo
- Industrial switched-mode and resonantmode power supplies
- Electric vehicle battery chargers
- AC and DC motor drives
- DC-DC converters
- Renewable-energy inverters
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- Robotics and servo control
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
| Type | HiperFET | Technology | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Mounting Style | Screw Mount |
| Package / Case | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | 650V Ultra Junction X2 |
| Brand | IXYS | Configuration | Single |
| Fall Time | 13 ns | Id - Continuous Drain Current | 78 A |
| Number of Channels | 1 Channel | Pd - Power Dissipation | 595 W |
| Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Rise Time | 26 ns | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | Discrete Semiconductor Modules | Tradename | HiPerFET |
| Transistor Polarity | N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 37 ns | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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