Pedidos acima de
$5000IXFH80N10Q
100V and 80A MOSFET
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFH80N10Q
Ficha de dados: IXFH80N10Q Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH80N10Q Descrição geral
The IXFH80N10Q Power MOSFET stands out as a standout performer in the Q-Class series, offering unparalleled performance and reliability. Its low gate charge and impressive ruggedness make it a versatile option for a wide range of industrial applications. The fast intrinsic diode further enhances its capabilities, making it a preferred choice for those seeking efficient power management solutions
Características
- Metalized gate electrode for improved reliability
- Robust construction against voltage stress and radiation effects
- Rated for avalanche ruggedness
- High-speed switching with low power dissipation
- Fast recovery diode with low reverse recovery current
Aplicativo
- Robust design
- Long lifespan
- Stable operation
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 360 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HyperFET | Series: | IXFH80N10 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 30 ns |
Forward Transconductance - Min: | 45 S | Height: | 21.46 mm |
Length: | 16.26 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 70 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Width: | 5.3 mm |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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