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Pedidos acima de
$5000IXFH69N30P
69 Amps MOSFET with 0.049 Rds at 300V
Marcas: Littelfuse
Parte do fabricante #: IXFH69N30P
Ficha de dados: IXFH69N30P Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.789 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH69N30P Descrição geral
Transform your power systems with the IXFH69N30P Polar™ HiPerFETs, the ultimate solution for high-performance applications. Specifically designed for phase-shift bridges motor control and UPS applications, these FETs offer superior speed, efficiency, and reliability. With a faster body diode, reduced reverse recovery time, and advanced features like low RDS(on), low thermal resistance, low gate charge, and enhanced DV/DT capability, the IXFH69N30P is the perfect choice for demanding power electronics projects. Upgrade to the IXFH69N30P and take your systems to the next level of performance
Características
- Automotive Grade Quality
- Wide Operating Range
- Low EMI Emissions
- Isolated Package
Aplicativo
- Smart grid integration
- Custom power solutions
- Flexible power protection
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 300 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.049 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 69 | Gate Charge (nC) | 156 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 4960 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.25 |
| Configuration | Single | Package Type | TO-247 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 100 | Power Dissipation (W) | 500 |
| Maximum Reverse Recovery (ns) | 200 | Sample Request | Yes |
| Check Stock | Yes |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFH69N30P is a power MOSFET chip designed for high-performance and high-power applications. It features a low ON resistance and a high reverse avalanche capability, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. With a compact design and high reliability, the IXFH69N30P chip is a popular choice for power management in demanding environments.
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Equivalent
Possible equivalent products of IXFH69N30P chip include IRF1405, STP80NF55-08, and IPW60R055CP. These products are power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, suitable for a variety of high-power applications. -
Features
IXFH69N30P is a low Vce(on) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a 30A, 800V rating. It has a compact TO-247 package with a high current capability, low voltage drop, and fast switching speed, making it suitable for high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The IXFH69N30P is a TO-247 package MOSFET with 3 pins. Pin 1 is the Gate, pin 2 is the Drain, and pin 3 is the Source. This MOSFET is an N-channel power MOSFET suitable for high power applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFH69N30P. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets power semiconductors for a variety of electronic devices and systems. They specialize in power semiconductors, high voltage integrated circuits, and RF power products for a wide range of industries including telecommunications, industrial, and aerospace. -
Application Field
The IXFH69N30P is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as server power supplies, motor controls, DC-DC converters, and welding equipment. It is also suitable for use in industrial automation, telecommunications, and renewable energy systems due to its high performance and efficiency characteristics. -
Package
The IXFH69N30P chip is packaged in a TO-247 form with a size of 10.9mm x 15.3mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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