Pedidos acima de
$5000IXFH15N100Q
Metal-oxide semiconductor FET for reliable performanc
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Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFH15N100Q
Ficha de dados: IXFH15N100Q Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.660 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH15N100Q Descrição geral
The IXFH15N100Q Power MOSFET, part of the Q-Class series, is a well-regarded device known for its exceptional performance and reliability. With features such as low gate charge and excellent ruggedness, this MOSFET is a popular choice for applications requiring both hard switching and resonant mode capabilities. Its fast intrinsic diode ensures efficient operation and consistent performance, making it a top choice for industrial settings. Available in various standard packages, including isolated types, the IXFH15N100Q Power MOSFET offers versatility and reliability for a wide range of power applications
Características
- Low noise and electromagnetic interference
- Digital pulse-width modulation control
- Overcurrent protection and shutdown circuitry
- High-speed logic compatible output stage
- Silicon-based substrate with high thermal conductivity
Aplicativo
- Compact size
- Robust construction
- Improved efficiency
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1 kV | Id - Continuous Drain Current | 15 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 700 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 360 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | HyperFET | Series | IXFH15N100 |
Brand | IXYS | Configuration | Single |
Fall Time | 14 ns | Height | 21.46 mm |
Length | 16.26 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 27 ns | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 67 ns | Typical Turn-On Delay Time | 28 ns |
Width | 5.3 mm |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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