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IXFH10N100
Rugged TO-D package design for reliable high-voltage operatio
Marcas: Littelfuse
Parte do fabricante #: IXFH10N100
Ficha de dados: IXFH10N100 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.430 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $29,601 | $29,601 |
| 210 | $11,813 | $2480,730 |
| 510 | $11,417 | $5822,670 |
| 990 | $11,221 | $11108,790 |
Em estoque: 5.430 PCS
IXFH10N100 Descrição geral
Elevate your power MOSFET applications with the IXFH10N100 product from the N-Channel HiPerFET™ Standard series. Known for its low gate charge and outstanding ruggedness, this MOSFET is the perfect solution for hard switching and resonant mode operations. Its fast intrinsic diode enhances its performance, setting it apart as a reliable and efficient component in the industrial realm. With a selection of standard industrial packages, including isolated types, this series delivers versatility and quality for a wide range of industrial uses
Características
- Advanced Gate Protection
- Fault Detection & Self-Reset
- Silicon Carbide Diodes
- Reduced Electromagnetic Interference
Aplicativo
- Efficient power supply
- Compact design
- Reliable performance
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 1000 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 1.2 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 10 | Gate Charge (nC) | 122 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 4000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.42 |
| Configuration | Single | Package Type | TO-247 |
| Power Dissipation (W) | 298 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
| Sample Request | No |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFH10N100 is a high-speed, high-voltage N-channel IGBT chip designed for use in power electronic applications such as motor drives, inverters, and uninterruptible power supplies. It offers low conduction and switching losses, high efficiency, and high ruggedness, making it a popular choice for demanding industrial applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFH10N100 chip are Infineon's IXTQ97N10T, IR's IRF7495, and Fairchild's HFA10PB120. These products have similar specifications and can be used as alternatives in various applications requiring high power and efficiency. -
Features
Some features of IXFH10N100 are: 1. 1000V voltage rating 2. 10A current rating 3. Fast switching speed 4. Low on-state voltage drop 5. TO-247 package type 6. High temperature performance 7. High power density design -
Pinout
The IXFH10N100 is a high power N-channel MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of this transistor is to switch and control high power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFH10N100. It is a global semiconductor company that designs, develops, and markets power semiconductors used in a wide range of applications such as motor drives, power supplies, renewable energy systems, and transportation. -
Application Field
The IXFH10N100 can be used in various high power applications such as switch mode power supplies, motor drives, welding equipment, and induction heating systems. It is suitable for use in industrial and automotive applications where high voltage and high current capabilities are required. -
Package
The IXFH10N100 chip is packaged in a TO-247 form, which is a large electronic component package. It measures 21.39mm x 26.67mm x 5.79mm in size.
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