Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

IXDH20N120D1 48HRS

IXDH20N120D1 IGBT transistors, capable of 20 Amps and designed for 1200 Volts

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: IXYS

Parte do fabricante #: IXDH20N120D1

Ficha de dados: IXDH20N120D1 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-247-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 7.056 peças, novo original

Tipo de Produto: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $12,685 $12,685
210 $5,063 $1063,230
510 $4,893 $2495,430
990 $4,809 $4760,910

Em estoque: 7.056 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IXDH20N120D1 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IXDH20N120D1 Descrição geral

Meet the IXDH20N120D1: the dual IGBT module designed for high power applications. With a current rating of 20A and a voltage rating of 1200V, this module is a powerhouse for various high power electronic systems. Built with advanced insulated gate bipolar transistor (IGBT) technology, it combines the ease of control of a MOSFET with the high current handling capability of a bipolar transistor, ensuring efficient switching and high power handling capacity. The IXDH20N120D1 also features a low saturation voltage, reducing power dissipation and improving overall efficiency, as well as a fast switching speed for high-frequency operation and precise control of power delivery. Equipped with built-in protective features such as overcurrent and overtemperature protection, this module ensures reliable and safe operation in demanding environments

IXDH20N120D1

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Package Tube Product Status Obsolete
IGBT Type NPT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 38 A Current - Collector Pulsed (Icm) 50 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Power - Max 200 W
Switching Energy 3.1mJ (on), 2.4mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 70 nC Test Condition 600V, 20A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 40 ns Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AD

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • IXDH20N120D1 is a high-power, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in power electronic applications where high efficiency and fast switching speeds are required. It operates at a voltage rating of 1200V and a current rating of 20A, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IXDH20N120D1 chip are IXYS IXGH20N120B2D1, Infineon IHB30N120R3, and STMicroelectronics STW24N1200. These products offer similar features and performance capabilities for power applications.
  • Features

    - High voltage (1200V) and current (20A) capability - Low conduction and switching losses - Soft recovery diode for reduced EMI - Compact TO-247 package for easy mounting - Temperature and overcurrent protection - Suitable for industrial, motor control, and renewable energy applications
  • Pinout

    The IXDH20N120D1 is a Dual IGBT Driver with a pin count of 24. It is designed to control and drive IGBT modules in applications such as motor drives and renewable energy systems. It provides high current and voltage capability for optimal performance and protection.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IXDH20N120D1 is IXYS Corporation. IXYS Corporation is a semiconductor company that designs, manufactures, and markets power semiconductors, integrated circuits, and power systems for energy-efficient devices across various industries, including industrial, automotive, telecommunications, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IXDH20N120D1 is commonly used in applications such as motor controls, power supplies, inverters, and induction heating systems. It is ideal for high power switching applications that require high performance and efficiency, such as industrial equipment and renewable energy systems.
  • Package

    The IXDH20N120D1 chip comes in a TO-247 package type, with a tube form factor, and dimensions of 30.58mm x 13.70mm x 5.21mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...