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$5000IRFR13N20DTRPBF
Power Field-Effect Transistor
Marcas: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Parte do fabricante #: IRFR13N20DTRPBF
Ficha de dados: IRFR13N20DTRPBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: D-PAK
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.172 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $0,826 | $0,826 |
10 | $0,687 | $6,870 |
30 | $0,618 | $18,540 |
100 | $0,550 | $55,000 |
500 | $0,509 | $254,500 |
1000 | $0,488 | $488,000 |
Em estoque: 7.172 PCS
IRFR13N20DTRPBF Descrição geral
The IRFR13N20DTRPBF Power MOSFET transistor from Infineon Technologies is a reliable and efficient component for power management applications. With a continuous drain current of 13A and a drain-source voltage of 200V, this N-channel MOSFET transistor is capable of handling a variety of power requirements. Its low on-resistance of 0.19 ohms ensures minimal power loss and high efficiency in operation, making it an ideal choice for motor controls, DC-DC converters, and inverters
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | IRFR13N20DTRPBF | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 130 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
Drain Current-Max (ID) | 13 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.235 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 110 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 52 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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