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IRF7314TRPBF

P-type Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with 20V Voltage Rating and 5.3A Current Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies

Parte do fabricante #: IRF7314TRPBF

Ficha de dados: IRF7314TRPBF Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: 8-SOIC

Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays

Status RoHS:

Condição de estoque: 6.357 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

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IRF7314TRPBF Descrição geral

When it comes to power management tasks that demand precision and efficiency, the IRF7314TRPBF emerges as a standout contender in the realm of MOSFET components. This compact yet powerful device, housed in a SO-8 package, boasts a dual N-channel design that grants users the freedom to independently control two power channels within a single unit. With a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 5.3A, this MOSFET is well-suited for a wide array of low to medium power applications where high-speed switching is paramount. Its low on-resistance of 50mΩ at a gate-source voltage of 10V ensures minimal heat generation and optimal power conversion efficiency, while the low gate charge of 8.5nC facilitates swift switching speeds, reducing switching losses for enhanced overall performance

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Series HEXFET® Product Status Last Time Buy
Technology MOSFET (Metal Oxide) Configuration 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package 8-SO
Base Product Number IRF731

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The IRF7314TRPBF is a dual N-channel MOSFET chip designed for high-speed switching applications in power management circuits. It features low on-resistance and a low gate threshold voltage, making it suitable for use in battery charging, DC-DC converters, and motor driving applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the IRF7314TRPBF chip are IRF7314, IRF7314PbF, and FDD86114. These chips are all P-channel MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    IRF7314TRPBF is a dual N-channel MOSFET with a voltage rating of 100V and a continuous drain current of 3.6A. It has a low on-resistance of 0.17 ohms, making it suitable for high-efficiency power management applications. It is compact, easy to use, and has a small package size.
  • Pinout

    IRF7314TRPBF is a Dual N-Channel MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 and 8 are the Source pins for the two N-Channel MOSFETs, while pins 3 and 6 are the Gate pins. Pins 2, 4, 5, and 7 are the Drain pins for the respective N-Channel MOSFETs.
  • Manufacturer

    IRF7314TRPBF is manufactured by Infineon Technologies AG, a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon is a leading company in the field of power semiconductors, offering a wide range of products including MOSFETs, IGBTs, and power management ICs for various applications such as automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    IRF7314TRPBF is commonly used in applications such as power management, motor control, and inverter circuits. Its high efficiency and power handling capabilities make it suitable for a wide range of industrial and automotive applications where high power is required.
  • Package

    The IRF7314TRPBF chip is a Dual N-Channel MOSFET package in a SOIC-8 form. It measures 5mm x 4mm x 1.5mm in size.

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