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Infineon IPD180N10N3G
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: IPD180N10N3G
Ficha de dados: IPD180N10N3G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-252
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2086 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaIPD180N10N3G Descrição geral
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Características
- Drain-source voltage (Vdss): 100V
- Continuous drain current (Id): 180A
- Maximum on-state resistance (Rds(on)): 3.3mΩ
- Gate charge (Qg): 270nC
- Fast switching and low switching losses
- High current handling capability
- RoHS compliant
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 172.0 A | Ptot max | 71.0 W |
| VDS max | 100.0 V | Package | DPAK (TO-252) |
| Polarity | N | RDS (on) max | 18.0 mΩ |
| ID max | 43.0 A | VGS(th) max | 3.5 V |
| VGS(th) min | 2.0 V | Operating Temperature max | 175.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IPD180N10N3G is a power MOSFET chip designed for applications in power management and motor control systems. It features a low on-resistance and a high current capacity, making it suitable for high-performance devices. The chip incorporates advanced technology to enhance efficiency and reduce power losses, making it an ideal choice for various industrial applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IPD180N10N3G chip are IPD180N10N3GXTSA1 and IPD180N10N3GXTMA1. -
Features
The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 100 volts and a current rating of 180 amperes. It is designed for high efficiency and reliability in a wide range of applications. -
Pinout
The IPD180N10N3G is a MOSFET power transistor. It has a pin count of 3 and the pins are used for the following functions: 1. Gate pin (G): Controls the flow of current through the transistor. 2. Drain pin (D): Connects to the positive voltage supply. 3. Source pin (S): Connects to the ground or negative voltage supply. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD180N10N3G is Infineon Technologies. It is a German semiconductor company that designs and produces a wide range of semiconductor devices, including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor commonly used in various applications, such as motor control, switch mode power supplies, and high-frequency DC-DC converters. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The package type of the IPD180N10N3G chip is Power-Flat 8x8. The form of the chip is surface mount, and it has dimensions of 5.28mm x 5.28mm x 0.95mm.
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