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Infineon IPP041N12N3G
IPP041N12N3 G is a N-channel MOSFET with 120V voltage rating, 120A current rating, and TO220-3 package from the OptiMOS 3 series
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IPP041N12N3G
Ficha de dados: IPP041N12N3G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.388 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $7,969 | $7,969 |
Em estoque: 2.388 PCS
IPP041N12N3G Descrição geral
The IPP041N12N3 G is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-efficiency power conversion applications. Manufactured by Infineon Technologies, it belongs to the CoolMOS™ N-channel series, renowned for its robust performance and reliability in various power supply designs.Here are the key details:1. **Part Number**: IPP041N12N3 G2. **Manufacturer**: Infineon Technologies3. **Type**: N-channel power MOSFET4. **Application**: Suitable for high-efficiency power conversion applications such as power supplies, motor control, and lighting.5. **Features**: Offers low switching and conduction losses, enabling high-efficiency power conversion. It is optimized for fast switching, reducing power dissipation and improving overall system efficiency.6. **Voltage and Current Ratings**: With a voltage rating of 1200V and a continuous drain current rating of 41A, it is capable of handling high-power applications.7. **Package Type**: Typically available in TO-220 FullPAK package, providing good thermal performance and ease of mounting on a heatsink.8. **Datasheet**: Detailed specifications, electrical characteristics, and application information can be found in the datasheet provided by Infineon Technologies.
Características
Aplicativo
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 480.0 A | Ptot max | 300.0 W |
| VDS max | 120.0 V | Package | TO-220 |
| Polarity | N | RDS (on) max | 4.1 mΩ |
| ID max | 120.0 A | VGS(th) max | 4.0 V |
| VGS(th) min | 2.0 V | Operating Temperature max | 175.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Peças Equivalentes
Para o IPP041N12N3G componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:
Número da peça
Marcas
Pacote
Descrição
Número da peça : FCPF041N12N3
Marcas :
Pacote :
Descrição : from Fairchild Semiconductor
Número da peça : BSC092N12NS3
Marcas :
Pacote :
Descrição : G from Infineon Technologies
Número da peça : CSD18540Q5B
Marcas : Texas Instruments
Pacote :
Descrição :
Número da peça : IRFP4468PBF
Marcas :
Pacote : TO-247
Descrição : MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
Part points
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IPP041N12N3G is a power MOSFET chip manufactured by Infineon. It is designed for high-power applications in areas such as automotive, industrial, and consumer electronics. The chip offers low on-resistance, high current handling capability, and a rugged design. It is suitable for various applications that require efficient power management and switching functions.
-
Equivalent
There are no direct equivalent products to the IPP041N12N3G chip as it is a specific model and cannot be replaced with another chip. However, there are alternative power MOSFETs available in the market that can be used for similar applications. -
Features
IPP041N12N3G is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 1200V and a current rating of 41A. It has a low on-resistance of 0.026 ohms, allowing for efficient power conversion. The transistor offers improved thermal resistance for higher power dissipation, enabling reliable operation. It is suitable for various applications like motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The IPP041N12N3G is a power MOSFET transistor with a TO-220 package. It has three pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IPP041N12N3G. Infineon is a German semiconductor company that specializes in the development and production of various electronic components, including power management devices, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The IPP041N12N3G is a power transiEencer typically used in applications such as industrial drives, telecom power supplies, renewable energy systems, and various other high-power applications that require efficient switching and low conduction losses. -
Package
The IPP041N12N3G chip is packaged in a TO-220 form and has a size of approximately 10.4mm x 15.7mm x 4.6mm.
Ficha de dados PDF
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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