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$5000
FQB55N10TM
MOSFET 100V N-Channel QFET
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: FQB55N10TM
Ficha de dados: FQB55N10TM Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-70-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $1,784 | $1,784 |
| 10 | $1,551 | $15,510 |
| 30 | $1,406 | $42,180 |
| 100 | $1,257 | $125,700 |
| 500 | $1,191 | $595,500 |
| 800 | $1,161 | $928,800 |
Em estoque: 9.458 PCS
FQB55N10TM Descrição geral
The FQB55N10TM is a high-quality MOSFET that has been specifically engineered to provide superior performance in a variety of applications. Its enhanced technology allows for efficient power delivery, reduced resistance, and reliable switching capabilities. This makes it an ideal choice for projects that require precision control and high power output. Whether you're a hobbyist or a professional, you can trust the FQB55N10TM to deliver the results you need
Características
- High-voltage rated
- Low leakage current
- Excellent thermal performance
- Robust construction
- High-reliability
Aplicativo
- Real Estate
- Media and Publishing
- Nonprofit Organizations
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 3.75 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | FQB55N10 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 140 ns | Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Height: | 4.83 mm | Length: | 10.67 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 250 ns |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Width: | 9.65 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FQB55N10TM is a high-performance, N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for power management applications. It features a low on-resistance, high current capacity, and high switching speed, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control, and other high-power applications.
-
Equivalent
The equivalent products of FQB55N10TM chip are: 1. FQPF55N10TM 2. FQD55N10TM 3. FQD60N03LTM These are all power MOSFET transistors that can be used as substitutes for the FQB55N10TM chip in various electronic circuits. -
Features
The FQB55N10TM is a 100V N-Channel MOSFET transistor with a maximum current rating of 55A. It features low on-resistance, high transconductance, and a fast switching speed, making it suitable for high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
FQB55N10TM is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. The transistor is designed for use as a switch in power management applications, with a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 55A. -
Manufacturer
FQB55N10TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, a leading global supplier of power semiconductors. Fairchild Semiconductor specializes in the design and manufacture of high-performance power and signal management devices for a wide range of applications including industrial, automotive, and consumer electronics. -
Application Field
FQB55N10TM is typically used in applications where high power, efficiency, and reliability are required, such as in power supplies, motor control, lighting, and switch mode power supplies. It can also be used in automotive applications, industrial equipment, and renewable energy systems. -
Package
The FQB55N10TM chip comes in a TO-263 package with a TO-263-3 form (D2 Pak) and size dimensions of 10.54mm x 8.94mm x 3.05mm.
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