Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

NXP FQA24N50F

TO-3PN-packaged N-channel MOSFET, rated for 500V and 24A current, tailored for railway use, identified as product FQA24N50F

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: NXP Semiconductor

Parte do fabricante #: FQA24N50F

Ficha de dados: FQA24N50F Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: TO-3P

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 2.837 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para FQA24N50F ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

FQA24N50F Descrição geral

Housed in a TO-3P package, the FQA24N50F offers excellent thermal conductivity and heat dissipation, allowing it to operate at high power levels without the risk of overheating. This package also provides protection against environmental factors and mechanical stress, making the transistor suitable for a wide range of demanding applications

fqa24n50f

Características

  • Drain-source voltage rating (Vdss): 500V
  • Continuous drain current rating (Id): 24A
  • Low on-resistance (Rds(on)): 0.2 ohm
  • Fast switching speed
  • Avalanche energy rating (EAS): 680 mJ

Aplicativo

  • Power supplies and converters
  • Motor control
  • Inverters
  • Audio amplifiers
  • Lighting control

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-3PN-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V Id - Continuous Drain Current: 24 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 200 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 290 W Channel Mode: Enhancement
Packaging: Tube Brand: onsemi / Fairchild
Configuration: Single Fall Time: 155 ns
Forward Transconductance - Min: 22 S Height: 20.1 mm
Length: 16.2 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 250 ns Factory Pack Quantity: 30
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET Typical Turn-Off Delay Time: 200 ns
Typical Turn-On Delay Time: 80 ns Width: 5 mm
Part # Aliases: FQA24N50F_NL

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Peças Equivalentes

Para o FQA24N50F componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:

Número da peça

Marcas

Pacote

Descrição

Número da peça :   IRF840PBF

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Número da peça :   STW24N50

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Número da peça :   AOTF24N50L

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Número da peça :   STF24N50M2

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Número da peça :   TK24N50X

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Número da peça :   MTP24N50E

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Part points

  • The FQA24N50F is a power MOSFET chip designed for high power applications. It has a drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 24A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other high-power switching applications due to its low on-resistance and high efficiency.
  • Equivalent

    Equivalent products of FQA24N50F chip include Infineon IPP50R190CE, Fairchild FQP24N50, and NXP PSMN1R2-40PS. These chips are also power MOSFETs designed for use in a variety of electronic applications where high power and efficiency are required.
  • Features

    The FQA24N50F is a Fast recovery diode with a drain-source voltage of 500V, continuous drain current of 24A, and a low reverse recovery time. It also has a high ruggedness and reliability for high-power applications.
  • Pinout

    The FQA24N50F has a pin count of 3. The functions of each pin are as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. It is a MOSFET transistor used for switching applications in power electronics.
  • Manufacturer

    The FQA24N50F is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in the design and production of power semiconductor devices. They provide a wide range of products for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The FQA24N50F is a MOSFET transistor commonly used in high power switching applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. It can also be used in RF power amplifiers, battery chargers, and inverters for renewable energy systems.
  • Package

    The FQA24N50F chip comes in a TO-3P package type, in a through-hole form, and is available in a standard size of 0.39" x 0.42" x 0.39" (9.9mm x 10.8mm x 9.9mm).

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar FQA24N50F PDF Download

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • BLF878

    BLF878

    Ampleon Usa Inc.

    Reliable power switching solution for wireless com...

  • BLF147

    BLF147

    Ampleon Usa Inc.

    Rugged N-channel FET suitable for motor control, l...

  • MRFE6S9060NR1

    MRFE6S9060NR1

    NXP

    RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2

  • MJE13009

    MJE13009

    Onsemi

    12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

  • FGH60N60UFD

    FGH60N60UFD

    Onsemi

    Premium IGBT transistor for high-frequency switchi...

  • FDS6685

    FDS6685

    Onsemi

    FDS6685 is a single P-channel MOSFET with a SO-8 p...