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ON FCP190N65F
650V voltage capacity
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FCP190N65F
Ficha de dados: FCP190N65F Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3526 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFCP190N65F Descrição geral
SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizingcharge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. SuperFET II FRFET® MOSFET’s optimized body diode reverse recovery performance can remove additional component and improve system reliability.
Características
- 700 V @ TJ = 150°C
- Typ. RDS(on) = 168 mΩ
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 60 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 186 pF)
- 100% Avalanche Tested
- RoHS Compliant
Aplicativo
- AC-DC Power Supplies
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 20.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V | Qg - Gate Charge | 60 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 208 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | SuperFET II FRFET | Series | FCP190N65F |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 4.2 ns | Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Height | 16.3 mm | Length | 10.67 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 11 ns |
| Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns | Width | 4.7 mm |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FCP190N65F is an integrated circuit chip designed for power electronics applications, particularly in the field of renewable energy systems. It provides efficient power conversion and control, supporting high voltage and current operation. This chip offers a compact and reliable solution for various power electronics designs, including solar inverters and motor drives, among others.
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Equivalent
The equivalent products of FCP190N65F chip are IRFP4110, STW10NK90Z, and AOT290L. -
Features
The FCP190N65F is a field-stop trench IGBT designed for high-speed switching applications. It offers low conduction and switching losses, high ruggedness, and short circuit withstand capability. It has a voltage rating of 650V, a current rating of 190A, and is suitable for use in motor control, solar energy, and other power electronic applications. -
Pinout
The FCP190N65F is a power MOSFET transistor with 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. The function of this device is to control the flow of current between the drain and the source when a voltage is applied to the gate. -
Manufacturer
The manufacturer of the FCP190N65F is Fairchild Semiconductor Corporation, which is a global company specializing in the development and production of power management and analog semiconductor devices. -
Application Field
The FCP190N65F is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications such as switch mode power supplies, motor control, and automotive systems. Its low on-resistance and fast switching capabilities make it suitable for high-performance and energy-efficient designs. -
Package
The FCP190N65F chip has a package type of TO-220F, a form of N-Channel MOSFET, and a size of 10.4mm x 9.9mm.
Ficha de dados PDF
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