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$5000
EM6M2T2R
6-Pin EMT-packaged Transistor MOSFET with Silicon technology, N/P-Channel, 20V voltage, and 0.2A current
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: ROHM Semiconductor
Parte do fabricante #: EM6M2T2R
Ficha de dados: EM6M2T2R Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-563-6
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.966 peças, novo original
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
5 | $0,080 | $0,400 |
50 | $0,071 | $3,550 |
150 | $0,067 | $10,050 |
500 | $0,063 | $31,500 |
2500 | $0,052 | $130,000 |
5000 | $0,052 | $260,000 |
Em estoque: 8.966 PCS
EM6M2T2R Descrição geral
For those seeking top-notch MOSFET technology, the EM6M2T2R product offers a comprehensive solution. Featuring complex type MOSFETs with low ON-resistance capabilities, this product is perfect for a variety of applications. Its compact design is ideal for space-constrained devices, while the high-power types cater to more demanding systems. With advanced micro-processing technologies at its core, the EM6M2T2R guarantees superior performance and efficiency. Whatever your needs may be, this product's broad lineup ensures that you can find the perfect MOSFET solution to suit your requirements in the market
Características
Two-channel FET array
N and P-channel transistors
Based on silicon technology
Gate-source voltage of 10V
Drain-source breakdown voltage of 20V
Maximum power of 150mW
Drain current of 200mA
Transconductance of 0.2S
Drain-source voltage of 20V
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-563-6 |
Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms, 1.2 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V, - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | - |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 150 mW | Channel Mode | Enhancement |
Series | EM6M2 | Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Dual | Fall Time | 10 ns, 17 ns |
Forward Transconductance - Min | 200 mS | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns, 4 ns |
Factory Pack Quantity | 8000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns, 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 6 ns | Part # Aliases | EM6M2 |
Unit Weight | 0.000212 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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