Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

DMWS120H100SM4

MOSFET SiC with BVDSS greater than 1000V, TO247-4 package in a tube of 30 pieces

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Diodes Incorporated

Parte do fabricante #: DMWS120H100SM4

Ficha de dados: DMWS120H100SM4 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-247-4

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 7.214 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para DMWS120H100SM4 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

DMWS120H100SM4 Descrição geral

With the DMWS120H100SM4, you can trust that your high-power components are in good hands. This water-cooled heat sink is built for reliability, with a sturdy construction that can handle the heat. Its 120mm x 120mm size and 100mm height make it a versatile option for a wide range of applications, from power transistors to industrial machinery. Experience peace of mind knowing that the DMWS120H100SM4 is working tirelessly to keep your electronics cool and performing at their best

Características

  • Advanced Signal Processing Capability
  • Compact Size with High Power Density
  • Reliable Performance under Harsh Conditions

Aplicativo

  • Military-grade performance
  • Reliable in all conditions

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-4
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV Id - Continuous Drain Current 37.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage + 19 V, - 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V Qg - Gate Charge 52 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 208 W Channel Mode Enhancement
Brand Diodes Incorporated Fall Time 5.03 ns
Forward Transconductance - Min 3.8 S Product Type MOSFET
Rise Time 20.67 ns Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 15.05 ns

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD
DMP6023LE-13

DMP6023LE-13

Diodes Incorporated

DMP2165UW-7

DMP2165UW-7

Diodes Incorporated

DMP4047LFDE-7

DMP4047LFDE-7

Diodes Incorporated

DMP2035U-7

DMP2035U-7

Diodes Incorporated

DMP3098L-7

DMP3098L-7

Diodes Incorporated

DMP6110SSS-13

DMP6110SSS-13

Diodes Incorporated

DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7

Diodes Incorporated

DMP4051LK3-13

DMP4051LK3-13

Diodes Incorporated

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...