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Pedidos acima de
$5000CA3096E
Bipolar transistors with BJT technology
Marcas: Renesas Electronics
Parte do fabricante #: CA3096E
Ficha de dados: CA3096E Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PDIP-16
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.650 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CA3096E Descrição geral
The CA3096E transistor array is a powerhouse of versatility, offering five transistors with common emitter connections in a compact 18-lead dual in-line package. With a voltage rating of 15V and a current rating of 100mA, this array is perfect for a wide range of low to medium power amplification tasks. Its tight matching of transistor characteristics ensures consistent performance, making it an excellent choice for precision circuit designs that require accurate matching. The ability to easily interconnect the transistors opens up a world of possibilities for creating complex circuit configurations like differential amplifiers, current mirrors, and voltage sources. Operating over a broad temperature range from -55°C to 125°C, the CA3096E is well-suited for various operating environments. Its low collector-to-emitter saturation voltage and high current gain further enhance its performance in amplification tasks
Características
- High-speed, low-power amplifier
- Fast switching, high-current transistor
- Low noise, wide bandwidth operation
- Multi-purpose IC for audio amplifiers
- Rugged, high-reliability performance
- Easy to use, flexible design
Aplicativo
- Telecom interfaces
- Instrument calibration
- Sensor fusion technology
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Package / Case | PDIP-16 |
| Transistor Polarity | NPN, PNP | Configuration | Quint |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V | Collector- Base Voltage VCBO | 45 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW | Gain Bandwidth Product fT | 335 MHz |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 125 C |
| Brand | Renesas / Intersil | DC Collector/Base Gain hfe Min | 150 at 1 mA, 5 V |
| Height | 4.95 mm | Length | 19.68 mm |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Subcategory | Transistors |
| Technology | Si | Width | 7.11 mm |
| Unit Weight | 0.057419 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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