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Pedidos acima de
$5000APT14M120B
Reliable and efficient switching device for industrial control system
Marcas: Microchip Technology
Parte do fabricante #: APT14M120B
Ficha de dados: APT14M120B Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.194 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT14M120B Descrição geral
Say hello to superior power control with APT14M120B by Power MOS 7®. This power MOSFET redefines efficiency by targeting conduction and switching losses effectively. By slashing RDS(ON) and Qg, Power MOS 7® empowers your system with maximum performance. Pair that with lightning-quick switching speeds, and you have a game-changing solution for your power needs
Características
- Advancing Power Electronics and IGBT Solutions
- Boosting Efficiency with MOSFET and IGBT Designs
- Efficient Switching for High Frequency Modules
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4765 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Package / Case | TO-247-3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The APT14M120B chip is a power module designed for high power switching applications in motor control, renewable energy, and other industrial applications. It combines a power MOSFET with a driver and protection circuitry in a single package, providing high efficiency and reliability.
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Equivalent
The equivalent products of APT14M120B chip are Infineon's 1200V CoolMOS™ PFD7 and PFD8 superjunction MOSFETs and STMicroelectronics 1200V SiC MOSFETs. These products offer similar performance and specifications to the APT14M120B chip, making them suitable replacements in various applications. -
Features
1. APT14M120B is a high-power RF transistor module. 2. It operates at a frequency range of 1.2GHz to 1.4GHz. 3. It has a maximum output power of 14 watts. 4. It is designed for high efficiency and reliability in demanding RF applications. 5. It is suitable for use in wireless communication systems and radar applications. -
Pinout
The APT14M120B has a pin count of 44 and is a high power RF LDMOS transistor. It is specifically designed for linear amplifiers, broadcast transmitters, and radar applications. It operates in the frequency range of 1350-1400 MHz with a maximum power output of 14 watts. -
Manufacturer
Microsemi Corporation is the manufacturer of the APT14M120B. They specialize in providing semiconductor and system solutions for aerospace, defense, communications, and industrial markets. Their products include high-performance power modules, RF components, and power management devices. -
Application Field
The APT14M120B is a high-voltage insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module commonly used in various industrial applications such as motor drives, renewable energy systems, and power supplies. Its high power handling capacity and efficient switching make it ideal for high-performance applications where reliability and energy efficiency are crucial. -
Package
The APT14M120B chip is a power module that comes in a surface-mount package. It has a module form factor and a size of 48 mm x 14 mm.
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