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$5000ZXMN10A08DN8TA
ZXMN10A08DN8TA: MOSFET, N-Channel, 100V, 2.1A
Marcas: Diodes Incorporated
Parte do fabricante #: ZXMN10A08DN8TA
Ficha de dados: ZXMN10A08DN8TA Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: 8-SOIC
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.029 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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ZXMN10A08DN8TA Descrição geral
Product ZXMN10A08DN8TA is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for a wide range of applications. With a maximum current rating of 2.1A and a voltage rating of 100V, this transistor is capable of handling significant power loads with ease. The low on-resistance of 0.25ohm ensures minimal power loss during operation, making it an efficient choice for power management systems
Características
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile SOIC package
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Power - Max | 1.25W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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Embalagem
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