Pedidos acima de
$5000TP2104K1-G
P-Channel 40 V 160mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Marcas: MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Parte do fabricante #: TP2104K1-G
Ficha de dados: TP2104K1-G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.994 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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TP2104K1-G Descrição geral
Leveraging a vertical DMOS structure and silicon-gate manufacturing process, the TP2104K1-G transistor offers superior power handling capabilities and high input impedance. This enhancement-mode device boasts a low threshold voltage and positive temperature coefficient, making it ideal for various switching and amplifying applications. With its high breakdown voltage and fast switching speeds, this transistor excels in applications requiring low input capacitance and reliable performance. Free from thermal runaway and secondary breakdown, this transistor is a reliable and efficient solution for modern electronic systems
Características
- Enhanced electromagnetic compatibility
- Accurate timing and frequency locking
- High-speed analog-to-digital conversion
- ► Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS
- ► Solid state relays
- ► Analog switches
- ► Power management
- ► Telecom switches
Aplicativo
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | TP2104K1-G | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY INC |
Package Description | 2.90 X 1.30 MM, 1.12 MM HEIGHT, GREEN PACKAGE-3 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time | 5 Weeks | Samacsys Manufacturer | Microchip |
Additional Feature | LOW THRESHOLD | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 40 V | Drain Current-Max (ID) | 0.16 A |
Drain-source On Resistance-Max | 6 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 10 pF | JEDEC-95 Code | TO-236AB |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.36 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.36 W | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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