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SUP85N10-10-E3
N-channel power MOSFET capable of operating at 175°C and rated for 100V
Marcas: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Parte do fabricante #: SUP85N10-10-E3
Ficha de dados: SUP85N10-10-E3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220AB
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.488 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $3,339 | $3,339 |
| 10 | $2,934 | $29,340 |
| 50 | $2,693 | $134,650 |
| 100 | $2,449 | $244,900 |
| 500 | $2,338 | $1169,000 |
| 1000 | $2,286 | $2286,000 |
Em estoque: 7.488 PCS
SUP85N10-10-E3 Descrição geral
TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; Current Id Max:85A; Package / Case:TO-220; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Características
- TrenchFET® power MOSFET,175 °C maximum junction temperature
Aplicativo
- Industrial
- Power Management
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 280 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 85 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0105 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-220AB |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 240 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Element Material | SILICON | Series | TrenchFET® |
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6550 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET transistor designed for high-performance and efficiency in a variety of power supply and motor control applications. It features low on-resistance and a high current rating, making it suitable for high-power and high-frequency applications. The chip is designed to operate at high temperatures and comes in a TO-220 package for easy integration into circuit designs.
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Equivalent
Some equivalent products of SUP85N10-10-E3 chip are IRFPE80, IRF720, IPB019N10N3G, IPB048N10N3G, STP80NF10, IRLI3705N, IRLU024N, IRF3703, and IRF350. -
Features
The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET with a maximum voltage of 100V, a continuous drain current of 85A, and a low on-resistance of 8.5mΩ. It is designed for high-efficiency applications and features a TO-220 package with a built-in diode for fast recovery. It also has a low thermal resistance for improved thermal performance. -
Pinout
The SUP85N10-10-E3 is a power MOSFET with a pin count of 3. It is designed to control and switch high-power loads in automotive and industrial applications. Its main function is to provide efficient power management and control by controlling the flow of current between the source and drain terminals. -
Manufacturer
The SUP85N10-10-E3 is manufactured by Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in developing and producing a wide range of products including power MOSFETs, diodes, rectifiers, and optoelectronics for a variety of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. -
Application Field
The SUP85N10-10-E3 is commonly used as a power MOSFET in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It can also be utilized in DC-DC converters, battery management systems, and voltage regulation circuits, thanks to its high power density and low on-resistance. -
Package
The SUP85N10-10-E3 chip comes in a TO-220AB package type, with a through-hole mounting form. It has a size of 10.54mm x 15.88mm x 7.62mm.
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