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Pedidos acima de
$5000STD7NS20T4
N-Channel 200 V 0.4 Ohm 45 W Surface Mount MESH Overlay Power Mosfet - TO-252
Marcas: STMICROELECTRONICS
Parte do fabricante #: STD7NS20T4
Ficha de dados: STD7NS20T4 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-252-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.213 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STD7NS20T4 Descrição geral
In conclusion, the STD7NS20T4 MOSFET offers a balanced combination of high performance and reliability for modern electronic designs. With its N Channel configuration, 200V drain source voltage, and 7A continuous current rating, this MOSFET meets the requirements of various industrial and automotive applications. Its compact TO-252 package, low on-resistance, and high power dissipation capability make it a preferred choice for engineers seeking efficient power management solutions
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | STD7NS20T4 | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Part Package Code | TO-252AA | Package Description | TO-252, DPAK-3 |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
| Date Of Intro | 1980-01-04 | Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 60 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
| Drain Current-Max (ID) | 7 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.4 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 45 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 28 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
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 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The STD7NS20T4 is a power MOSFET transistor designed for use in automotive applications. It has a voltage rating of 200V and a current rating of 7A, making it suitable for high power applications. This chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it ideal for use in automotive power distribution systems and motor control circuits.
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Equivalent
Some equivalent products of the STD7NS20T4 chip are STS7NF60L, STD7NS25, STD7NM50N, and STP7NC50. These chips are power MOSFETs designed for high efficiency and low power dissipation in various electronic applications. -
Features
- N-channel power MOSFET - 68A continuous drain current - 0.08 ohm maximum on-state resistance - 100% avalanche tested - Low threshold voltage and low input capacitance - RoHS compliant - Suitable for high-current applications requiring high efficiency and reliability -
Pinout
The STD7NS20T4 is a power MOSFET with a pin count of 3. The pin functions are Gate, Drain, and Source. The MOSFET is designed for use in high-speed switching applications and has a maximum drain-source voltage of 200V and a continuous drain current of 7A. -
Manufacturer
The manufacturer of STD7NS20T4 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor manufacturer that designs and manufactures a range of products including microcontrollers, power semiconductors, sensors, and analog integrated circuits. STMicroelectronics serves various industries including automotive, industrial, communication, and consumer electronics. -
Application Field
The STD7NS20T4 is a high voltage N-channel Mosfet with high switching performance, making it suitable for various applications including power supplies, lighting, motor control, and converter circuits. It is commonly used in industrial, automotive, and consumer electronics applications for efficient power management and high voltage switching. -
Package
The STD7NS20T4 chip is a PowerFLAT package with a form factor of 6.2 mm x 5 mm and a thickness of 0.6 mm.
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