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Pedidos acima de
$5000STD18N55M5
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Marcas: STMICROELECTRONICS
Parte do fabricante #: STD18N55M5
Ficha de dados: STD18N55M5 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: DPAK
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.615 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STD18N55M5 Descrição geral
With the fusion of MDmesh M5 vertical processing and PowerMESH horizontal design, the STD18N55M5 stands out as a premier choice for power applications requiring superior efficiency. Its ultra-low on-resistance sets it apart from competitors, ensuring optimal performance in demanding environments. Whether used in power supplies, motor control units, or automotive systems, this Power MOSFET excels in delivering power with precision and reliability
Características
- High-temperature operation up to 150°C
- Low thermal noise
- Excellent stability
Aplicativo
- Power Management
- Industrial
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | STD18N55M5 | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Part Package Code | TO-252 | Package Description | DPAK-3 |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 550 V | Drain Current-Max (ID) | 14 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.21 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-252 | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 90 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 56 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The STD18N55M5 chip is a power MOSFET designed for efficient switching applications. It has a voltage rating of 55V and a continuous drain current of 18A. This chip offers low conduction and switching losses, making it suitable for various power conversion applications. It is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications for its reliable performance and high power efficiency.
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Equivalent
Some equivalent products of the STD18N55M5 chip include the FDP18N50, IRFP260N, and STP18N50M5 power MOSFETs. -
Features
The STD18N55M5 is a N-channel Power MOSFET with a low on-resistance, making it suitable for various power applications. It offers high power dissipation, fast switching speeds, and low gate charge. Additionally, it has integrated protection features like over-temperature and over-current protection, ensuring safe and reliable operation in different scenarios. -
Pinout
The STD18N55M5 is a power MOSFET transistor with a TO-252 package (DPAK) and a pin count of 3. The pins and their functions are: Pin 1 = Gate (G), Pin 2 = Drain (D), and Pin 3 = Source (S). -
Manufacturer
The manufacturer of the STD18N55M5 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor manufacturing company that designs and produces a wide range of electronic components, including microcontrollers, power transistors, and sensors. -
Application Field
The STD18N55M5 is a power MOSFET transistor designed for use in high voltage applications. It can be commonly used in various fields such as power supplies, motor control circuits, lighting systems, and automotive applications. -
Package
The STD18N55M5 chip is available in a PowerFLAT package type, featuring a compact form factor and measuring approximately 6.1 by 2.6 mm in size.
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