Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

SKW30N60 48HRS

N-Channel IGBT Chip Transistor 600V 41 Amps 250 Watts 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: SKW30N60

Ficha de dados: SKW30N60 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-247-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.050 peças, novo original

Tipo de Produto: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $13,880 $13,880
200 $5,371 $1074,200
500 $5,184 $2592,000
1000 $5,090 $5090,000

Em estoque: 9.050 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para SKW30N60 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

SKW30N60 Descrição geral

The SKW30N60 is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and other high-power electronic systems. It has a maximum voltage rating of 600 volts and a continuous drain current of 30 amps.This MOSFET features a low on-resistance of 0.11 ohms, which helps reduce power losses and improve efficiency in high-current applications. It also has a high pulse current rating of 120 amps, making it suitable for handling short-duration high-current loads.The SKW30N60 is housed in a TO-247 package, which provides excellent thermal performance and allows for easy mounting on a heat sink to dissipate heat generated during operation. The transistor has a junction-to-case thermal resistance of 0.55 °C/W, ensuring efficient heat transfer from the transistor to the heat sink.In addition, the SKW30N60 has a gate-source threshold voltage of 4 volts and a gate-source voltage rating of ±30 volts, making it compatible with standard gate drive circuits. It also features a fast switching speed and low gate charge, allowing for high-speed operation and reduced switching losses.

Características

  • SKW30N60 is a silicon N-channel IGBT with high current capability
  • It features a voltage rating of 600V and built-in diode for fast reverse recovery
  • Suitable for switching applications in power supplies, motor control and lighting ballasts
  • A reliable choice for high-reliability designs in industrial automation and automotive systems

Aplicativo

  • Reliable solar inverters
  • Compact RF amplifiers
  • Advanced power factor correction

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
IC max 41.0 A ICpuls max 112.0 A
IF max 41.0 A IFpuls max 112.0 A
VCE max 600.0 V Switching Frequency max 40.0 kHz
Switching Frequency min 10.0 kHz Ptot max 250.0 W
Package TO-247-3 Switching Frequency Fast IGBT 10-40 kHz
Technology IGBT Fast

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...