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Pedidos acima de
$5000SI2333DDS-T1-GE3
ROHS-compliant P Channel SOT-23 MOSFET capable of handling currents up to 5A with a low 1V voltage drop at 250uA
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI2333DDS-T1-GE3
Ficha de dados: SI2333DDS-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.290 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2333DDS-T1-GE3 Descrição geral
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Características
Aplicativo
Smart Phones and Tablet PCs - Load Switch - Battery SwitchEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 23 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 20 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 24 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 26 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2333DDS-T1-BE3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI2333DDS-T1-GE3 is a low voltage, N-channel MOSFET transistor designed for use in power management and battery protection applications. It has a compact SOT-23 package and a voltage rating of 20V, making it suitable for portable electronic devices and other low voltage applications. This chip is widely used for efficient power switching and regulation in compact designs.
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Equivalent
The equivalent products of SI2333DDS-T1-GE3 chip are SI2333DDS-T1-GE3C (with different packaging) and SI2333DDS-T1-E3 (with similar specifications). -
Features
The SI2333DDS-T1-GE3 is a N-channel MOSFET with a low on-resistance of 22 mohms, a 20V drain-source voltage rating, and a 19A continuous drain current rating. It is designed for use in power management applications and offers high efficiency and low power dissipation. -
Pinout
SI2333DDS-T1-GE3 is a Dual P-Channel MOSFET with a pin count of 8. Pins 1 and 8 are the Source pins, pins 2 and 7 are Gate pins, and pins 3, 4, 5, and 6 are the Drain pins. It is commonly used for power management applications. -
Manufacturer
SI2333DDS-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., an American company that specializes in manufacturing discrete semiconductors, passive components, sensors, and integrated circuits. Founded in 1962, Vishay is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
SI2333DDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor commonly used in power management applications, battery protection circuits, DC-DC converters, and load switches. It is also used in portable electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops, as well as in industrial and automotive applications. -
Package
The SI2333DDS-T1-GE3 is a Surface Mount MOSFET package with an SC-70 form factor. It measures 2mm x 2mm in size.
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