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ST STD10NM60N 48HRS

N-channel 600V 10A power MOSFET, part number STD10NM60N, housed in a 3-pin DPAK package with 2 additional tabs for enhanced thermal dissipation

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Stmicroelectronics

Parte do fabricante #: STD10NM60N

Ficha de dados: STD10NM60N Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: DPAK

Status RoHS:

Condição de estoque: 3190 peças, novo original

Tipo de Produto: Transistores

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $1,037 $1,037
10 $0,880 $8,800
30 $0,794 $23,820
100 $0,698 $69,800
500 $0,594 $297,000
1000 $0,575 $575,000

In Stock:3190 PCS

- +

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STD10NM60N Descrição geral

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

std10nm60n

Características

  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
ECCN US EAR99 ECCN EU NEC
Packing Type Tape And Reel RoHs compliant Ecopack2
Grade Industrial

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The STD10NM60N is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip. It is designed for use in various power applications, such as power supplies, motor control circuits, and lighting applications. The chip has a low on-resistance and can handle high currents, making it suitable for high-power applications. It offers reliable performance and efficient power management.
  • Equivalent

    There are several equivalent products of the STD10NM60N chip, including STP10NK60Z, STB10NK60ZT4, STP10NK60ZFP, STB10NK60ZT4FP, STP10NK60ZR, and STP10NK60ZFP.
  • Features

    The STD10NM60N is a high voltage N-channel Power MOSFET designed for very low on-resistance. It has a maximum drain-source voltage rating of 600V, a low gate charge, and fast switching characteristics. The device is suitable for various applications including power supplies, motor control, and electronic ballasts.
  • Pinout

    The STD10NM60N is a power transistor with a TO-252(DPAK) package. It has 3 pins, including the Gate, Drain, and Source. The gate controls the flow of current between the drain and the source.
  • Manufacturer

    ST Microelectronics is the manufacturer of the STD10NM60N. It is a multinational semiconductor and electronics company, specializing in designing, manufacturing, and marketing a wide range of semiconductor solutions.
  • Application Field

    The STD10NM60N is a power MOSFET transistor commonly used in various applications, including power supplies, motor control, lighting systems, and audio amplification. It can handle high drain current levels and has a low on-resistance, making it suitable for switching purposes in different electronic devices.
  • Package

    The STD10NM60N chip is available in a TO-252 (DPAK) package type. It has a through-hole terminal form and a size of 10.16mm x 6.60mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar STD10NM60N PDF Download

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  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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