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Infineon SGW25N120
IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
Marcas: INFINEON
Parte do fabricante #: SGW25N120
Ficha de dados: SGW25N120 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247
Status RoHS:
Condição de estoque: 9458 peças, novo original
Tipo de Produto: IGBT Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $15,585 | $15,585 |
| 200 | $6,031 | $1206,200 |
| 500 | $5,819 | $2909,500 |
| 1000 | $5,715 | $5715,000 |
In Stock:9458 PCS
SGW25N120 Descrição geral
Infineon offers a comprehensive IGBT portfolio for the general purpose inverters, solar inverters, UPS, induction heating, microwave oven, rice cookers, welding and SMPS segments.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| IC max | 46.0 A | ICpuls max | 84.0 A |
| VCE max | 1200.0 V | Switching Frequency max | 40.0 kHz |
| Switching Frequency min | 10.0 kHz | Ptot max | 313.0 W |
| Package | TO-247 | Switching Frequency | Fast IGBT 10-40 kHz |
| Technology | IGBT Fast |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SGW25N120 chip is a power semiconductor device commonly used in various electronic applications. It is a silicon carbide (SiC) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) capable of handling high voltage and current. The chip offers low on-resistance, high switching speed, and high temperature capability, making it suitable for power conversion and motor control requirements.
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Equivalent
The equivalent products of the SGW25N120 chip are the STW25N120K3, IRFW25N120D, HGTG25N120BN, and IHW25N120R3. -
Features
The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) Schottky diode. Its features include a low forward voltage drop, fast switching capability, and high temperature operation. This diode also has a high surge current capability, low leakage current, and excellent thermal performance, making it suitable for various high-power applications. -
Pinout
The pin count of the SGW25N120 is 3. It has 2 pins for the drain and source, and 1 pin for the gate. The drain is the output terminal, the source is the ground terminal, and the gate controls the flow of current in the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SGW25N120. It is a multinational semiconductor manufacturer. -
Application Field
The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) power semiconductor designed for use in high-voltage, high-frequency applications. It can be used in various application areas, including industrial drives, renewable energy generation systems, electric vehicles, and high-efficiency power supplies. -
Package
The SGW25N120 chip is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). Its package type is TO-247 (Transistor Outline 247) which is a large, through-hole package. The size dimensions of the chip are approximately 15.5mm x 20.4mm.
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