Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

SBC856BDW1T1G 48HRS

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: onsemi

Parte do fabricante #: SBC856BDW1T1G

Ficha de dados: SBC856BDW1T1G Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SOT-363-6

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Tipo de Produto: Bipolar Transistor Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $0,108 $0,108
10 $0,087 $0,870
30 $0,078 $2,340
100 $0,070 $7,000
500 $0,064 $32,000
1000 $0,061 $61,000

Em estoque: 9.458 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para SBC856BDW1T1G ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

SBC856BDW1T1G Descrição geral

The SBC856BDW1T1G is a high-quality dual PNP transistor specifically designed to meet the demands of automotive applications. With a collector-emitter voltage V(br)ceo of -65V and a power dissipation Pd of 380mW, this transistor is capable of handling a DC collector current of 100mA. Its DC current gain hFE is rated at 150hFE, ensuring consistent and reliable performance. Housed in a compact SOT-363 package with 6 pins, this transistor operates at a maximum temperature of 150°C, making it suitable for use in challenging automotive environments. It meets the AEC-Q101 automotive qualification standard and has an MSL rating of MSL 1 - Unlimited. Furthermore, it is free from any SVHC (Substances of Very High Concern) as of the most recent update in June 2018

Características

  • High Temperature Operating Range
  • Suitable for Industrial Automation
  • Low Power Consumption Guaranteed

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: onsemi Product Category: Bipolar Transistors - BJT
RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-363-6 Transistor Polarity: PNP
Configuration: Dual Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 650 mV Maximum DC Collector Current: 100 mA
Pd - Power Dissipation: 380 mW Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Qualification: AEC-Q101 Series: BC856B
Packaging: MouseReel Brand: onsemi
Continuous Collector Current: - 100 mA DC Collector/Base Gain hfe Min: 220
DC Current Gain hFE Max: 475 Product Type: BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity: 3000 Subcategory: Transistors
Technology: Si

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...