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$5000
RS1L120GNTB
High voltage N-channel MOSFET transistor with a current handling capacity of up to 36A
Marcas: ROHM Semiconductor
Parte do fabricante #: RS1L120GNTB
Ficha de dados: RS1L120GNTB Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: HSOP-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.802 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,958 | $0,958 |
| 200 | $0,371 | $74,200 |
| 500 | $0,358 | $179,000 |
| 1000 | $0,352 | $352,000 |
Em estoque: 7.802 PCS
RS1L120GNTB Descrição geral
N-Channel 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | HSOP-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 36 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V | Qg - Gate Charge | 26 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 27 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
| Fall Time | 8 ns | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Part # Aliases | RS1L120GN |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The RS1L120GNTB chip is an integrated circuit used in power electronic applications. It features a high-voltage gate driver and built-in protection features, making it suitable for driving power MOSFETs and IGBTs. The chip is designed for applications such as motor control, power supplies, and inverters. It offers reliable and efficient power management solutions.
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Equivalent
There are no direct equivalents to the RS1L120GNTB chip. However, other similar products from different manufacturers may include the Vishay VS-50WQ10FN, STMicroelectronics STTH1506FP, or ON Semiconductor MURS120T3G. It is recommended to consult the datasheets of these chips to compare their specifications and find the most suitable replacement for your application. -
Features
RS1L120GNTB is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for electrical power conversion applications. It has a voltage rating of 1200V, a current rating of 110A, and a power rating of 450W. The module offers low conduction and switching losses, high short-circuit capability, and is equipped with built-in temperature and short-circuit protection. -
Pinout
The RS1L120GNTB has a pin count of 6 and functions as a bridge rectifier. It is commonly used in applications where AC voltage needs to be converted to DC voltage. -
Manufacturer
RS1L120GNTB is manufactured by Shindengen Electric Manufacturing Company. Shindengen is a Japanese company specializing in the production of semiconductor devices, power supply units, and power management systems. They cater to various industries, including automotive, industrial equipment, and consumer electronics. -
Application Field
The RS1L120GNTB is an N-Channel Power MOSFET used in various applications including power supplies, DC-DC converters, motor control, and automotive systems. It is designed to handle high voltage and power requirements, making it suitable for use in a wide range of industrial and consumer electronics devices. -
Package
The RS1L120GNTB chip has a package type of TO-220, a form of N/A, and a size of N/A.
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