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$5000
RFG40N10
Power MOSFET for high voltage applications, with a current rating of 40 amps
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: RFG40N10
Ficha de dados: RFG40N10 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.471 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $1,546 | $1,546 |
200 | $0,598 | $119,600 |
500 | $0,579 | $289,500 |
1000 | $0,568 | $568,000 |
Em estoque: 8.471 PCS
RFG40N10 Descrição geral
Designed with a TO-247 package, the RFG40N10 offers exceptional thermal performance and robust construction, allowing for effective heat dissipation and reliable operation even under heavy loads. Its ability to operate at temperatures up to 175 degrees Celsius provides flexibility for various operating environments, making it a versatile option for diverse electronic systems
Características
- Safe Operating Area
- Gate-Source Voltage
- Drain Current Rating
- Thermal Protection
- Absence of Functionality
Aplicativo
- Switching power supplies
- DC-DC converters
- Motor control applications
- Automotive systems
- Industrial and consumer electronics
- High voltage switching circuits
- Power management systems
- LED lighting applications
- Solar power systems
- Telecommunication equipment
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Id - Continuous Drain Current | 40 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 160 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 20 ns |
Height | 20.82 mm | Length | 15.87 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 30 ns |
Factory Pack Quantity | 150 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 42 ns | Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
Width | 4.82 mm |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The RFG40N10 is a high-power N-channel MOSFET transistor designed for use in high-frequency switching applications. It has a maximum voltage rating of 100V and a current rating of 40A, making it suitable for power management in RF amplifiers, power supplies, and motor control circuits. Its low on-resistance and high switching speed make it ideal for efficient power conversion.
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Equivalent
The equivalent products of RFG40N10 chip are IRF 840, IRF840N, IRF740, IRF840, and IRF9Z34N from different manufacturers such as Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, and Infineon Technologies. -
Features
RFG40N10 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 40A, and a low on-resistance of 0.033 ohms. It has a TO-247 package with a high power density, high switching speed, and low gate charge for improved performance in high-power applications. -
Pinout
The RFG40N10 is a power MOSFET with a TO-220 package and 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It is used for high current, high voltage applications such as power supplies and motor control. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of RFG40N10 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American semiconductor company that specializes in the design, development, and manufacture of power semiconductors. They produce a wide range of products including power MOSFETs, integrated circuits, and other semiconductor devices for various applications in the electronics industry. -
Application Field
RFG40N10 is a power MOSFET transistor commonly used in high power switching applications such as power supplies, motor control, and inverters. It is also suitable for use in industrial and automotive applications due to its high performance and reliability. -
Package
The RFG40N10 chip is a TO-3P package type and has a through-hole form. It measures 10.54mm in length, 4.69mm in width, and 5.72mm in height.
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