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Pedidos acima de
$5000NVTFS5116PLWFTAG
P-Channel 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: NVTFS5116PLWFTAG
Ficha de dados: NVTFS5116PLWFTAG Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: WDFN-8
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NVTFS5116PLWFTAG Descrição geral
The compact size of the NVTFS5116PLWFTAG, coupled with its high thermal performance, makes it a versatile choice for various automotive designs. Its AEC-Q101 qualification ensures that it meets the industry standards for quality and reliability. With the Wettable Flank Option for enhanced optical inspection, this MOSFET offers convenience and precision during the manufacturing process, allowing for quicker and more accurate quality control checks
Características
- Fully Compliant
- Compact Design
- Low Power Consumption
- Nano Technology Used
- Achieves High Speed
- Robust and Reliable
Aplicativo
- Solenoid control
- Robotics application
- Heating element control
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | WDFN-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 21 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Series: | NVTFS5116PL |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi |
| Configuration: | Single | Product Type: | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 1500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The NVTFS5116PLWFTAG is a high-side power switch with integrated protection features such as overcurrent, overtemperature, and short-circuit protection. It is designed for automotive applications and offers a low RDS(ON) to minimize power dissipation. The chip's compact package and high reliability make it ideal for use in a wide range of automotive systems.
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Equivalent
Some equivalent products of NVTFS5116PLWFTAG chip are NVTFS5120NLWFTAG, NVTFS5115PLWFTAG, and NVTFS5116PLWTAG. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, providing options for designers looking for alternatives. -
Features
NVTFS5116PLWFTAG is a 16-channel Power MOSFET with a low on-resistance of 3.4mΩ and 42A current rating. It features a compact 5x6mm PQFN package, low electromagnetic interference (EMI), and high efficiency in power management applications. -
Pinout
The NVTFS5116PLWFTAG is a dual N-channel power MOSFET with a pin count of 8. It is commonly used in power management and load switching applications. The device offers a low on-resistance and high current capability, making it suitable for a variety of power handling tasks. -
Manufacturer
NVTFS5116PLWFTAG is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor manufacturer specializing in power management and sensor solutions for a variety of industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications. They provide a wide range of products designed to improve energy efficiency and performance in electronic devices. -
Application Field
The NVTFS5116PLWFTAG is a power MOSFET designed for use in automotive applications, specifically for on-board vehicle power supply systems and automotive lighting. It is also suitable for use in industrial applications that require high power efficiency and reliability, such as motor control and power management. -
Package
The NVTFS5116PLWFTAG chip is a PowerSSO-8 package type with a form factor of Tape and Reel. It has a size of 6.2mm x 5mm x 1mm, making it compact and ideal for space-constrained applications.
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